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纳微半导体正式登陆纳斯达克以股票代码NVTS上市交易

发布时间:2024-12-26 06:44:42   来源:星空体育平台官网

  纳微首席执行官在公司创立仅 7 年后敲响了纳斯达克开市钟(股票代码NVTS)

  •超过 10 亿美元的企业价值以及超过 3.2 亿美元的合并总收益将推动纳微向新市场扩张

  美国东部时间2021年10月20日,氮化镓功率芯片的行业领导者纳微半导体(“纳微”)的股票,真正开始在纳斯达克全球市场交易,股票代码为“NVTS”。首席执行官Gene Sheridan在公司领导团队的陪伴下,在纽约纳斯达克MarketSite敲响了开市钟,庆祝公司股票首日上市交易。

  氮化镓 (GaN)是新一代半导体技术,其工作速度比传统硅芯片快20倍,并且在尺寸和重量减半的情况下可将功率和充电速度提高3倍。纳微的GaNFast™功率芯片集成了氮化镓功率器件以及氮化镓驱动、保护和控制器件,使用简单、外形小巧、充电更快、节约能源的效果更强。GaNFast™ 功率芯片被应用在130多种型号的移动充电器中,在移动充电器的应用领域超过所有其他氮化镓公司的总和,这中间还包括小米、戴尔、联想、LG、亚马逊、OPPO、安克、贝尔金和其他几十家主要制造商生产的快速充电器。截至2021年10月,纳微已交付3000万多颗GaNFast功率芯片,未收到任何故障报告,在移动市场中展示出卓越的质量和可靠性,为纳微向消费、太阳能、能源储备、数据中心和电动汽车市场扩张铺平了道路。

  纳微所有的联合发起人都依旧在纳微任职,均现场参加了纳斯达克敲钟仪式,包括首席执行官 Gene Sheridan、首席运营官兼首席技术官Dan Kinzer、工程副总裁Nick Fichtenbaum以及应用和技术营销副总裁Jason Zhang。凭借130多项已获得或正在申请的专利,以及包括专有工艺设计套件(PDK)在内的重要商业机密,纳微相信我们在下一代氮化镓功率芯片领域拥有,并将持续拥有多年的领先优势。

  福克斯、CNBC、Bloomberg现场直播了敲钟仪式,Facebooklive同步进行网上直播,洛杉矶、上海、深圳、台北、马尼拉以及别的地方的纳微同事、纳微投资人观看了直播。各地区的纳微同事们举行了当地的庆祝仪式。

  纳微首席执行官兼联合创始人Gene Sheridan表示:“这是激动人心的一天,也是向整个新一代电源ECO表示祝贺的好时机,包括我们才华横溢的芯片设计师、勤勉敬业的销售和应用团队、合作伙伴客户和战略投资者等等。”他表示:“我们的第一个七年见证了纳微知识产权、营业收入、客户数量的急速增长……在接下来的七年中,我们期待看到纳微加快进入电动汽车领域的步伐,从而加速实现电动汽车的普及。为数据中心节省数十亿美元的电力成本,以及到2050年,每年为全球减少26亿吨二氧化碳排放量。Let’s Go GaNFast!”

  时代广场纳斯达克大厦的屏幕上展示了纳微重要投资人发来的贺电,其中许多投资人与纳微团队一起登台庆祝。纳微吉祥物“小氮星”和“小镓星”(分别代表化学元素氮和镓)在美国正式亮相,象征着氮化镓的速度和“纳微芯球”的能量。多个品牌宣传视频突出展示了GaNFast品牌及其快速、轻巧和纤薄的特点。视频同时强调了氮化镓的主要环境优势,即与传统硅芯片相比,每个最终交付的氮化镓功率芯片最多可减少四千克的二氧化碳排放量。

  纳微于10月19日完成了与Live OakAcquisition Corp. II(“Live Oak II”)的业务合并。Live Oak II前首席执行官、现任纳微董事会成员Rick Hendrix表示:“我们今天与纳微团队一起庆祝纳微上市。纳微是一家深度科技公司。纳微团队向投资者自信并全面地展示了新一代的技术、多样化的市场以及使氮化镓功率芯片取得长久成功的详细的商业模式。我们已决定与纳微的高级管理团队锁定多年的合作伙伴关系,这表明我们对这项突破性技术的信心以及对长期投资者的承诺。”

  纳微半导体成立于2014年,是氮化镓功率芯片的行业领导者。纳微的普通股和认股权证于 2021 年 10 月 20 日星期三起在纳斯达克全球市场进行交易,股票代码分别为“NVTS”和“NVTSW”。纳微拥有一支强大且不断成长的功率半导体行业的专家团队。这支团队在材料、器件、应用、系统和市场营销方面合计拥有超过300年的经验。此外,公司创始人技术创新记录卓著,合计拥有超过200项专利。氮化镓功率芯片集成了氮化镓功率器件以及氮化镓驱动、保护和控制器件,充电速度更快、功率密度更高、节约能源的效果更强,适用于移动、消费、企业、电动交通和新能源市场。纳微已经获得或正在申请的专利有130多项。纳微已交付了3000多万颗GaNFast功率芯片,没有收到任何故障报告。

  Live Oak II在2020年12月筹集了2.53亿美元资金,其投资单位、A类普通股和认股权证于2021年10月20日之前已在纽约证券交易所上市,股票代码分别为“LOKB.U”、“LOKB”和“LOKB WS”。Live Oak II是一家空白支票公司,其成立的商业目的是与一家或多家企业实施合并、资本股票交换、资产收购、股票购买、重组或开展类似的公司合并行为。Live Oak II拥有经验比较丰富的管理者、运营者和投资者。他们曾经在上市公司和非上市公司的建立、运营以及收购工作中发挥及其重要的作用,并为股东创造价值。该团队在广泛的行业领域拥有丰富的运营和投资经验,为公司带来了多元化的经验以及宝贵的专业相关知识和见解。

  关键字:引用地址:纳微半导体正式登陆纳斯达克,以股票代码NVTS上市交易

  理想汽车计划于北京时间 7 月 31 日晚间正式在纳斯达克市场挂牌上市,股票代码为“LI”。这将是继蔚来汽车后,第二家在美上市的国内“造车新势力”。 据悉,理想汽车实际的募资规模或将至少达到约 5 亿美元,并成为 2020 年至今在美上市所有中国企业中 IPO 募资额最大的一家;至多则可达到 10 亿美元,追平蔚来汽车 2018 年上市时的募资规模。 理想汽车计划将募集到的资金用于新产品研发,进一步开发包括生产设备在内的资本支出以及运营资本等方面。此外,招股书中还透露了理想汽车的产品规划,理想汽车计划于 2022 年推出一款大型 SUV,并继续采用增程式动力总成。 作为国内首家将增程式 电动汽车 (EREV)商

  ,市值或达上百亿美元 /

  纳微 (Navitas) 半导体宣布,将在11月3号到6号在上海举办的中国电源学会学术年会 (CPSSC) 上展示最新的氮化镓(GaN)功率IC及其应用。 纳微首席技术官兼首席运营官Dan Kinzer表示:“CPSSC是亚洲电力电子行业重要的技术会议,共有450多份同行评议的技术论文和1000多名来自行业和学术界的与会者。 中国工程师非常了解纳微半导体的改变行业形势的AllGaN™平台,并且非常愿意使用氮化镓(GaN)功率IC” 纳微首席执行官Gene Sheridan表示:“作为CPSSC的赞助商,纳微会再次显示我们致力把AllGaN™技术带到中国来,会在现场展示基于业界首个氮化镓GaN功率IC的高功率密度开关电源。

  (GaN) 功率IC /

  日前,GaN System宣布推出GS-065低电流(3.5A-11A)晶体管产品线kW的电源应用而开发,适用于消费级电源产品,如用于游戏和工作站笔记本电脑的AC适配器,电视电源,LED照明,无线电源系统和家用电机驱动器。 这种新的晶体管利用了GaN System在650 V增强型GaN HEMT中的技术领头羊。这一些器件采用成本低廉的PDFN封装,占地面积仅为5.0 x 6.0 mm。具体器件额定值为3.5A、8A和11A,RDS(on)范围为500mΩ至150mΩ。设计优势包括低电感,5×6占位面积和Pin-Pin兼容的引脚封装。 GaN Systems提供一系列分立器件,以最大限度地提高设计自由度,适

  整合意法半导体的制造规模、供货安全保障和电涌耐受能力与MACOM的硅上氮化镓射频功率技术,瞄准主流消费电子、汽车和无线基站项目 意法半导体获准使用MACOM的技术制造并提供硅上氮化镓射频功率产品 预计硅上氮化镓具有突破性的成本结构和功率密度将会实现4G/LTE和大规模MIMO 5G天线 横跨多重电子应用领域的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)和世界领先的高性能模拟射频、微波、毫米波和光波半导体产品供应商MACOM科技解决方案控股有限公司(纳斯达克证交所代码: MTSI) (简称“MACOM”)今天宣布一份硅上氮化镓GaN 合作开发协议。据此协议,意法半导

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  宜普电源转换公司(EPC)在美国国际贸易委员会起诉竞争对手英诺赛科,要求保护新兴氮化镓(GaN)技术专利 案例聚焦新一代替代硅技术 (加利福尼亚州,埃尔塞贡多)-- 氮化镓(GaN)技术的全球领导者宜普电源转换公司(Efficient Power Conversion Corporation, EPC,以下简称宜普公司)于今日向美国联邦法院和美国国际贸易委员会(U.S. International Trade Commission, ITC)提起诉讼,主张其基础专利组合中的四项专利受到英诺赛科(珠海)科技有限公司及其子公司(以下统称英诺赛科)侵犯 。 这些专利涉及宜普公司独家的增强型氮化镓功率半导体器件的设计与制造工艺的核

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  近日,赛微电子在投资者互动平台上表示,公司为全球领先的MEMS纯代工厂商,代工制造的产品有流量、红外、加速度、压力、惯性、微镜、光开关、硅麦克风等各类MEMS芯片及基本结构模块;同时已布局氮化镓(GaN)外延材料、器件,以自主产品满足物联网对相关器件的需求。 据了解,在GaN外延片方面,赛微电子已建成的6-8英寸GaN外延材料制造项目(一期)的产能为1万片/年,目前已签订千万级销售合同并根据商业条款安排生产及交付。在GaN器件设计方面,产能主要受到供应方制造商产能的限制,目前在技术、应用及需求方面是没问题的,关键在产能供应端受限,在这方面赛微电子已对外签订了批量流片合同,努力缓解产能瓶颈问题。 另一方面,赛微电子GaN业务子公

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