在N区两边分散两个P+区，构成两个PN结。两个P+区相连，引出栅极g。N体的上下两头别离引出漏极d和源极s。
(1)VGS=0时，N型棒体导电沟道最宽(N型区)。有了VDS后，沟道中的电流最大。
(2)VGS0时，耗尽层加宽(主要向沟道一测加宽)，并向沟道中心延伸，沟道变窄。
加上负VGS电压和VDS电压今后，VGD的负压比VGS大，所以，二个反偏PN结的空间电荷区变得上宽下窄，使沟道构成楔形。
JFET经过VGS改动半导体内耗尽层厚度(沟道的截面积)操控iD，称为体内场效应器材;MOSFET主要是经过改动衬底表层沟道的厚度来操控iD，称为外表场效应器材。
JFET的伏安特性(以N沟道JFET为例)：伏安特性曲线和电流方程与耗尽型MOSFET类似。但VGS必定要反向偏置。
