近来，由北京三聚阳光知识产权署理有限公司和北京易聚律师事务所联合署理的一件专利无效宣告恳求结案。国家知识产权局作出第 563603 号无效检查决议，宣告江苏多维科技有限公司具有的第 2.7 号“一种单芯片具有校准/重置线圈的 Z 轴线性磁电阻传感器”创造专利权悉数无效。
专利法第九条第一款规则：相同的创造创造只能颁发一项专利权。可是，同一请求人同日对相同的创造 创造既请求实用新型专利又请求创造专利，先取得的实用新型专利权没有停止，且请求人声明抛弃该实用新型专利权的，能够颁发创造专利权。
关于创造或许实用新型，专利法第九条中所述的“相同的创造创造”是指两件或许两件以上请求（或许专利）中存在的维护规模相同的权利要求。
在判别是否为相同的创造创造时，应当将两件创造或许实用新型专利请求或许专利的权利要求书的内容做比较，而不是将权利要求书与专利请求或许专利文件的悉数内容作比较。判别时，假如一件专利请求或许专利的一项权利要求与另一件专利请求或许专利的某一项权利要求维护规模相同，应当以为它们是相同的创造创造。
本专利：“1.一种单芯片具有校准/重置线圈的 Z 轴线性磁电阻传感器，其特征是，包括单芯片 Z 轴线性磁电阻传感器，以及校准线.一种单芯片具有校准/重置线圈的 Z 轴线性磁电阻传感器，其特征是，包括单芯片 Z 轴线性磁电阻传感器，以及校准线圈或/和重置线圈；
本专利：所述单芯片 Z 轴线性磁电阻传感器包括坐落衬底上的软磁通量集中器和磁电阻传感单元阵列，所述软磁通量集中器为长条形，其长轴沿 Y 方向，短轴沿 X 方向，一切所述磁电阻传感单元为 TMR 传感单元，而且被钉扎层磁化方向都沿 X 方向，其自在层磁化方向都沿 Y 方向，所述磁电阻传感单元沿所述 Y 方向电连接成推磁电阻传感单元串和挽磁电阻传感单元串，并别离坐落相对应的所述软磁通量集中器外表上方或下方的 Y 轴中心线的两边，且间隔所述 Y 轴中心线具有相同的间隔，所述推磁电阻传感单元串和所述挽磁电阻传感单元串电连接成推挽式磁电阻传感器，丈量 Z 方向外磁场时，所述软磁通量集中器将所述 Z 方向外磁场歪曲成具有别离平行和反平行于所述被钉扎层磁化方向且起伏相同的两个磁场重量，并别离作用于所述推磁电阻传感单元串和所述挽磁电阻传感单元串；
依据1：所述单芯片 Z 轴线性磁电阻传感器包括坐落衬底上的软磁通量集中器和磁电阻传感单元阵列，所述软磁通量集中器为长条形，其长轴沿 Y 方向，短轴沿 X 方向，一切所述磁电阻传感单元为 TMR 传感单元，而且被钉扎层磁化方向都沿 X 方向，其自在层磁化方向都沿 Y 方向，所述磁电阻传感单元沿所述 Y 方向电连接成推磁电阻传感单元串和挽磁电阻传感单元串，并别离坐落相对应的所述软磁通量集中器外表上方或下方的 Y 轴中心线的两边，且间隔所述 Y 轴中心线具有相同的间隔，所述推磁电阻传感单元串和所述挽磁电阻传感单元串电连接成推挽式磁电阻传感器，丈量 Z 方向外磁场时，所述软磁通量集中器将所述 Z 方向外磁场歪曲成具有别离平行和反平行于所述被钉扎层磁化方向且起伏相同的两个磁场重量，并别离作用于所述推磁电阻传感单元串和所述挽磁电阻传感单元串；
本专利：所述校准线圈为平面校准线圈或三维校准线圈，所述校准线圈包括平行于所述推磁电阻传感单元串和挽磁电阻传感单元串的直导线，且别离在所述推磁电阻传感单元串和挽磁电阻传感单元串处发生具有强度相同，但方向别离平行和反平行于所述被钉扎层磁化方向的磁场重量的校准磁场；
依据1：所述校准线圈包括平行于所述推磁电阻传感单元串和挽磁电阻传感单元串的直导线，且别离在所述推磁电阻传感单元串和挽磁电阻传感单元串处发生具有强度相同，但方向别离平行和反平行于所述被钉扎层磁化方向的磁场重量的校准磁场；
，所述重置线圈包括平行于所述磁电阻传感单元被钉扎层磁化方向的直导线，且在一切所述磁电阻传感单元处均发生具有平行于自在层磁化方向的磁场重量的均匀重置磁场。
依据1：所述重置线圈包括平行于所述磁电阻传感单元被钉扎层磁化方向的直导线，且在一切所述磁电阻传感单元处均发生具有平行于自在层磁化方向的磁场重量的均匀重置磁场。”由上可见，本专利权利要求 1 和依据 1 权利要求 1 的文字差异仅在于，本专利权利要求 1 多限制了“所述校准线圈为平面校准线圈或三维校准线圈”、“所述重置线圈为平面重置线圈或三维重置线圈”，其他特征均相同。
本专利要处理的技能问题是，在单芯片 Z 轴线性磁电阻传感器来测验的时分，测验用外加磁场设置不方便、不精确，为此，本专利在上述单芯片 Z 轴线性磁电阻传感器的芯片上，引进校准线圈或/和重置线 上述争议特征别离限制了“校准线圈”和“重置线圈”的“平面”、“三维”安置方法下线圈出现的形状，其间线圈的“平面”、“三维”的安置方法是该范畴中固有的、必定的安置方法,也即，校准线圈和重置线圈必定体现为“平面”或“三维”的安置方法。
如前所述，鉴于线圈的“平面”、“三维”的安置方法是该范畴中固有的、必定的安置方法，依据 1 权利要求 1 中校准线圈和重置线圈也必定体现为“平面”、“三维”的安置方法。本专利权利要求 1 与依据 1 权利要求 1 归于相同的创造创造，维护规模相同，本专利权利要求 1 不符合专利法第九条第一款的规则。
