）杂志上撰文表明，他们在忆阻器（memristor）规划上获得重大突破，发现忆阻器可进行布尔逻辑运算，用于数据处理和存储使用。科学家以为，大众将在3年内看到忆阻器电路，其或许可替代现在好像现已处于“走投无路”的硅晶体管，终究改动整个电脑职业。
现在，最先进的晶体管的巨细为30纳米到40纳米，比一个生物病毒还小（一个生物病毒约为100纳米），惠普纳米技能研讨实验室的资深专家斯坦威廉姆斯表明，惠普现正着手研讨3纳米级的忆阻器，开、关的时刻只需要十亿分之一秒。
他表明，3年内，该公司出产的根据忆阻器的闪存，1平方厘米将能够存储20G字节，这项技能有望成为低功耗核算机以及存储系统开展的里程碑。
忆阻器是一种有回忆功用的非线年由美国加州大学伯克利分校的电子工程师蔡少棠教授初次提出，但其时还没有纳米技能，他的发现因而被停滞。
）杂志撰文指出，他们总算成功研制出国际首个忆阻器。经过向其施加方向、巨细不同的电压，能改动其阻值。假如使用其不同阻值代表数字信号，在半导体电路中完成数据存储也大有出路。
忆阻器不同于电容器、电感器和电阻器这3种根本电路元件的当地是，忆阻器在关掉电源后，仍能回忆经过的电荷。这在某种程度上预示着，假如忽然停机，然后从头再发动，用户关机之前翻开的一切使用程序和文件仍在屏幕上。现在，这种用处还不能被任何电阻器、电容器和电感器的电路组合所仿制，因而，有业界专家觉得，忆阻器是电子工程范畴第4种根本电路元件。
）上撰文指出，他们规划出了一种新方法，能够从三维忆阻器阵列中存储和康复数据。新方案可让规划人员以相似建立摩天大楼的方法堆叠不计其数个忆阻器，创造出迫临极限的超细密核算设备。
威廉姆斯称，2008年到现在，其团队一直在提高忆阻器的开关速度，研讨人员在实验室中测验证明，它们能可靠地进行不计其数次读写。
此外，忆阻器也不同于IBM、英特尔等公司研制的新式存储芯片相变存储器（PCM），PCM使用资料的可反转的相变来存储信息。同一物质可在比如固体、液体、气体、冷凝物和等离子体等状况下存在，这些状况都称为相。相变存储器就是使用特别的资料在不同相间的电阻差异进行作业的。惠普公司表明，PCM的开关速度比较慢，在大多数情况下要更多的能量。 （来历：科技日报 刘霞）
