据台媒《经济日报》报道，存储市场近期因各大存储芯片厂已减产近一年，供给量持续减少下，随着终端需求小幅回温，推升DRAM、NAND Flash价格同步喊涨。法人预期，年底欧美购物旺季及明年初中国大陆农历年采购旺季，可望持续带动DRAM、NAND Flash价格向上。
三星、SK海力士及美光等存储芯片大厂持续调节产能，近几季市场供给量不断降低，第3季起市场需求慢慢的出现逐步回温迹象，让近期保持在低于健康水位的渠道商成功酝酿存储价格新一波涨势。
业界指出，OEM/ODM厂锁定今年下半年欧美感恩节及耶诞节前购物旺季，以及明年初中国大陆农历春节购物需求，开始重新再启动拉货需求，带动DRAM、NAND Flash等存储报价上涨。
即便市场需求回温，业界仍预期，全球存储大厂不会在今年就盲目增加投片量，最快要到明年第1季底或第2季初才会重启扩产行动。
另一方面，由于机台进入闲置后，至少在大多数情况下要一至二个月才能加入重新生产行列，因此产能开出可能要等到第2季底或第3季初，代表近几季DRAM、 NAND Flash供给仍是「只减不增」，成为推升价格上升的主要动能之一。
根据研调机构最新报告，预估今年第4季NAND Flash均价有望持平或小幅上涨。同时，DRAM市场由于存储大厂控制产出效应下，明年起亦有望同步上涨。
据台媒《经济日报》报道，存储涨价狂潮蔓延。NAND Flash、标准型DRAM报价领头劲扬之后，以DDR3利基型存储为主的嵌入式内存（eMMC）、多晶片封装（MCP）等报价也跟进走扬，涨势可望一路至12月，华邦、晶豪科、钰创等台厂接棒迎接存储多头大行情。
业界人士分析，虽然下半年终端需求未出现过往传统旺季效应，但近期PC OEM厂及手机厂存储库存已回到正常水位，渠道库存则低于季节性水准。随着三星等主要存储芯片厂持续减产，业界对本季DRAM及NAND Flash价格持续上涨已有高度共识，明年上半年价格可望维持涨势。
就需求面来看，近期AI应用进入成长爆发阶段，包括智能电网、智能水表、工厂自动化等采购标案陆续展开，利基型DRAM率先出现价格反弹，x16规格2Gb DDR3的9月合约价先起涨约个位数百分比，10月合约价延续涨势，后续将至少逐月上涨至年底，eMMC及eMCP价格止跌回升且拉货动能转强，市场景气转趋正面发展。
业者预期，利基型存储价格受惠于上游原厂持续减产、AI应用带动产能调配并进一步去化库存、手机及物联网等应用加入AI功能后，推升单机搭载容量拉高五成等综效下，配合DRAM及NAND Flash供应趋紧，x16规格利基型DRAM价格持续上涨将看到明年上半年，LPDDR及eMMC、eMCP等价格也因供给收紧而出现涨价行情。
以存储市场供需变动来看，存储厂去年第4季开始减产以来已长达12个月，明年仍会持续减产，随着减产带来的供需平衡情况显著，原厂强势拉抬价格决心明确，现货价在第4季因市场惜售及备货需求的双重效应下提前迎来上涨行情，模组业者预估第4季DRAM合约价将上涨12%至15％，NAND Flash合约价也会有逾5％涨幅。
据台媒《工商时报》报道，存储厂减产效应逐步显现，包括DRAM和NAND Flash现货报价扬升，业界看好存储第四季价量齐扬，连带存储封测厂第四季营运走出上半年谷底，法人看好力成、南茂、华泰及华东等存储封测厂第四季单季营运。
三星9月宣布扩大减产，DRAM减产幅度自第二季20％、第三季25％，逐步扩大至第四季30％，带动DRAM报价近期止稳，而继DDR5价格第三季止跌后， DDR4以及DDR3现货价多呈现翻扬，业界人士预期，DRAM第四季合约价看涨，NAND Flash涨价气氛同步升高。
供应链表示，行情有利后段存储封测厂营运受惠，其中，力成是全球存储封测龙头，该公司日前指出，随着急单带动，第三季营收持续成长，今年业绩会逐季走扬。
力成第一季月营收介于50亿至55亿元（新台币，下同），第二季月营收来到56亿至59亿元， 7、8月营收拉升至61.85亿元及62.69亿元，9月营收近60亿元，贡献第三季营收184.48亿元，创年度新高并追平去年第四季，以目前行情来看，第四季仍有攀升空间。力成也表示，近期客户开始释出看好明、后年景气反弹的反馈讯息。
华泰部分，则有半导体封测与成品两大事业群，其中半导体封测业务以NAND Flash封测为主，主要客户为金士顿、群联等大厂，近期NAND芯片行情加温，金士顿、群联乐看后市，华泰也跟着水涨船高，该公司审慎乐观看待后市。
南茂先前指出，受惠存储大厂产能降载，DRAM需求如预期浮现，加上NAND需求回升，存储封测营收和稼动率开始加温。南茂也强调，预期下半年存储封测营运回升动能，会比驱动芯片封测更为强劲，有利后续营收表现。
华东科技属华新丽华集团，主力产品为利基型DRAM封测，掌握同集团华邦电后段封测订单，在华邦需求复苏并看好行情带动下，预期第四季营收有机会回温。
据韩联社报道，三星电子11日披露的初步核实数据，按合并财务报表口径计算的公司今年第三季度盈利为2.4万亿韩元（约合人民币130.2亿元），同比减少77.88%。销售额为67万亿韩元，同比下滑12.74%。
这一表现将逊于市场预期，主要因该公司旗舰半导体业务被认为依然难以摆脱行业低迷困境。三星电子定于本月晚些时候公布完整的第三季度财报。
三星电子存储业务部门的DRAM开发副总裁兼总监Sangjun Hwang宣布，三星已开始为客户提供较高的带宽内存HBM3E样品，下一代产品HBM4正在开发，目标2025年供货。
Sangjun Hwang表示，三星仍在准备开发非导电性粘合剂膜（NCF）组装技术和混合键合（HCB）技术，用于针对HBM4产品应用的高温热特性进行了优化。
三星电子公司正在全面开发这些技术，包括在今年年初建立AVP（先进封装）业务团队，以增强尖端封装技术并最大限度地提高各个商业部门之间的协同作用。
此外，三星还计划与HBM一起提供尖端定制交钥匙封装服务，包括2.5D和3D尖端封装解决方案，展示AI和HPC时代的最佳解决方案。
对于上个月发布的32GB DDR5 DRAM，Sangjun Hwang称，减少相关成本和提高生产率慢慢的变成了可能，功耗也能改善10%，有可能实现高达1 TB的内存模组。
据清华大学10月9日消息，清华大学集成电路学院教授吴华强、副教授高滨团队基于存算一体计算范式，研制出全球首颗全系统集成的、支持高效片上学习（机器学习能在硬件端直接完成）的忆阻器存算一体芯片，在支持片上学习的忆阻器存算一体芯片领域取得重大突破，有望促进人工智能、无人驾驶可穿戴设备等领域发展。相关成果在线发表于最新一期的《科学》杂志。
记忆电阻器（Memristor，忆阻器），是继电阻、电容、电感之后的第四种电路基本元件。它可以在断电之后，仍能「记忆」通过的电荷，被当做新型纳米电子突触器件。早在1946年，「计算机之父」冯·诺依曼提出并定义了计算机架构，采用二进制的编码，由存储器和处理器分别完成数据存储和计算。但是，随着人工智能等应用对数据存储和计算需求的不断的提高，数据来回「搬运」处理，耗时长，功耗大，还有几率存在「交通堵塞」的风险。
2020年，钱鹤、吴华强团队基于多阵列忆阻器，搭建了一个全硬件构成的完整存算一体系统，在这个系统上高效运行了卷积神经网络算法，成功验证了图像识别功能，比图形处理器芯片的能效高两个数量级，大幅度的提高了计算设备的算力，实现了以更小的功耗和更低的硬件成本完成复杂的计算。
相同任务下，该芯片实现片上学习的能耗仅为先进工艺下专用集成电路（ASIC）系统的1/35，同时有望实现75倍的能效提升。
今日，美光公司发布新闻稿，进一步扩展了1β（1-beta）工艺节点技术，推出16Gb DDR5内存。
美光演示的1β DDR5 DRAM目前慢慢的开始向数据中心和PC用户更好的提供，峰值速度能达到7200 MT/s。
这款新型DDR5内存使用先进的high-k CMOS器件技术，4相时钟和时钟同步（clock-sync）1，相比较上一代性能提高50%，每瓦性能提高了33%。
全新1β DDR5 DRAM产品线 MT/s的模块密度，满足数据中心和客户端应用的需求。
