导体对电流的阻碍作用就叫该导体的电阻。电阻（Resistor，通常用“R”表示）是一个物理量，在物理学中表示导体对电流阻碍作用的大小。导体的电阻越大，表示导体对电流的阻碍作用越大。不同的导体，电阻一般不同，电阻是导体本身的一种性质。导体的电阻通常用字母R表示，电阻的单位是欧姆，简称欧，符号为Ω。主要有片式电阻、RT型碳膜电阻、可变电阻、固定电阻、特殊电阻、RJ型金属膜电阻、RX型绕组电阻、大功率电阻、小功率电阻等。这里主要介绍色环电阻。
色环电阻是在电阻封装上（即电阻表面）涂上一定颜色的 色环 ，来代表这个电阻的 阻值 。 色环其实就是早期为帮助人们分辨不同阻值而设定的标准。 色环电阻应用还是很广泛的，如 家用电器 、电子仪表、电子设备中常常能见到。有四环和五环，见下图。
色环电阻是电子电路中最常用的电子元件，色环电阻就是在普通的电阻封装上涂上不一样的颜色的色环，用来区分电阻的阻值。保证在安装电阻时不管从什么方向来安装，都可以清楚的读出它的阻值。色环电阻的基本单位有：欧姆（Ω）、千欧（KΩ）、兆欧（MΩ）。1兆欧（MΩ）=1000千欧（KΩ）=1000000欧（Ω）。
平常使用的色环电阻可大致分为四环和五环，通常用四环。其中四环电阻前二环为数字，第三环表示阻值倍乘的数，最后一环为误差；五环电阻前三环为数字，第四环表示阻值倍乘的数，最后一环为误差。误差通常也是金、银和棕三种颜色，金的误差为5%，银的误差为10%，棕色的误差为1%，无色的误差为20%，另外偶尔还有以绿色代表误差的，绿色的误差为0.5%。精密电阻通常用于军事，航天等方面。 色环电阻在最早期是为帮助人们分辨阻值，因为色环电阻比较大，在当今高度集成的情况下，色环电阻已经用的比较少了。
有一个小口决：棕一红二橙是三，四黄五绿六为蓝，七紫八灰九对白，黑是零，金五银十表误差。
四色环电阻 就是指用四条色环表示阻值的电阻，从左向右数，第一道色环表示阻值的最大一位数字；第二道色环表示阻值的第二位数字；第三道色环表示阻值倍乘的数；第四道色环表示阻值允许的偏差（精度）。
例如一个电阻的第一环为红色（代表2）、第二环为紫色（代表7）、第三环为棕色（代表10倍）、第四环为金色（代表±5%），那么这个电阻的阻值应该是270Ω，阻值的误差范围为±5%。
如果电阻色环不好分辩出那个是第一个色环，最简单的方法就是“第四环”不是金色就是银色，而其它颜色会出现的银少（只对四环电阻有用，五环电阻不适用）。
五色环电阻就是指用五环表示阻值的电阻，从左向右数，第一道色环表示阻值的最大一位数字；第二道色环表示阻值的第二位数字；第三道色环表示阻值的第三位数字；第四道色环表示阻值的倍乘数；第五道色环表示误差范围。
例如以个五色环电阻，第一环为红（代表2）、第二环为红（代表2）、第三环为黑（代表0）、第四环为黑（代表1倍）、第五环为棕色（代表±1%），则其阻值为220Ω1=220Ω，误差范围为±1%。
就是指用六色环表示阻值的电阻，六色环电阻前五色环与五色环电阻表示方法一样，第六色环表示该电阻的温度系数。只在有特定要求的场合下的电子科技类产品才会使用，通常用非常少。
电容（Capacitance）亦称作“电容量”，是指在给定电位差下自由电荷的储藏量，记为C，国际单位是法拉（F）。一般来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上，造成电荷的累积储存，储存的电荷量则称为电容。
电容是指容纳电荷的能力。任何静电场都是由许多个电容组成，有静电场就有电容，电容是用静电场描述的。一般认为：孤立导体与无穷远处构成电容，导体接地等效于接到无穷远处，并与大地连接成整体。
电容（或称电容量）是表现电容器容纳电荷本领的物理量。电容从物理学上讲，它是一种静态电荷存储介质，可能电荷会永久存在，这是它的特征，它的用途较广，它是电子、电力领域中必不可少的电子元件。大多数都用在电源滤波、信号滤波、信号耦合、谐振、滤波、补偿、充放电、储能、隔直流等电路中。
电容通常分为mlcc、高压电容、贴片电容、薄膜电容、贴片钽电容、铝电解电容、安规电容、超级电容、插件电容、陶瓷电容等。这里我们主要介绍瓷片电容和铝电解电容。
电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C13表示编号为13的电容）。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。
电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。
容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量)电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。
识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法
数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。
检测10pF以下的小电容——因10pF以下的固定电容器容量太小，用万用表做测量，只能定性的检查其是否有漏电，内部短路或击穿现象。
测量时，可选用万用表10k挡，用两表笔分别任意接电容的两个引脚，阻值应为无穷大。若测出阻值（指针向右摆动）为零，则说明电容漏电损坏或内部击穿。
检测10PF～0 01μF固定电容器是否有充电现象，进而判断其好坏。万用表选用1k挡。两只三极管的β值均为100以上，且穿透电流要小。
选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用，把被测电容的充放电过程予以放大，使万用表指针摆幅度加大，从而便于观察。
对于0 01μF以上的固定电容，可用万用表的10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电，并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。
应注意的是：在测试操作时，特别是在测较小容量的电容时，要反复调换被测电容引脚接触A、B两点，才能明显地看到万用表指针的摆动。
测量时可选用万用表10k挡，用两表笔分别任意接电容的两个引脚，阻值应为无穷大；若测出阻值为零，则说明电容漏电损坏或内部击穿。
万用表选用1k挡，两只三极管的β值均为100以上，万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接，由于复合三极管的放大作用，把被测电容的充放电过程予以放大，使万用表指针摆幅度加大，从而便于观察。
可用万用表的10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电，并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。
在测试操作时，特别是在测较小容量的电容时，要反复调换被测电容引脚接触A、B两点，才能明显地看到万用表指针的摆动。
1.电位器 （英文：Potentiometer）是可变电阻器的一种。通常是由电阻体与转动或滑动系统组成，即靠一个动触点在电阻体上移动，获得部分电压输出。
电位器的结构特点——电位器的电阻体有两个固定端，通过手动调节转轴或滑柄，改变动触点在电阻体上的位置，则改变了动触点与任一个固定端之间的电阻值，从而改变了电压与电流的大小。
电位器是一种可调的电子元件。它是由一个电阻体和一个转动或滑动系统组成。当电阻体的两个固定触点之间外加一个电压时，通过转动或滑动系统改变触点在电阻体上的位置，在动触点与固定触点之间便可得到一个与动触点位置成一定关系的电压。它大多是用作分压器，这时电位器是一个四端元件。电位器基本上就是滑动变阻器，有几种样式，一般用在音箱音量开关和激光头功率大小调节，电位器是一种可调的电子元件。
用于分压的可变电阻器。在的电阻体上，紧压着一至两个可移金属触点。触点位置确定电阻体任一端与触点间的阻值。按材料分线绕、碳膜、实芯式电位器；按输出与输入电压比与旋转角度的关系分直线式电位器（呈线性关系）、函数电位器（呈曲线关系）。主要参数为阻值、容差、额定功率。大范围的使用在电子设备，在音响和接收机中作音量控制用。
进一步分析右的波形并按时间轴展开能够准确的看出，虽然脉冲电位器左旋和右旋的波形都相同。但左旋时，在第1状态，脚1先比脚2变为低电平；在第2状态，脚2也变为低电平；在第3状态，脚1先比脚2变为高电平；在第4状态，脚2也变为高电平；脉冲电位器右旋时，脚1和脚2输出波形的变化规律正好与左旋相反。故可根据时间识别法（比较P1.0与P1.1低电平出现和结束的时差）来识别脉冲电位器是左旋还是右旋。在动态扫描中，因采样频率操作速度等因素的影响，实际上很难测出P1.0和P1.1的波形；也很难测准P1.0与P1.1低电平出现和结束的时差，只能快速地对P1.0和P1.1电平采样。对应图1所示波形按时间轴展开，每当P1.0和P1.1的组合电平依次为01 00 10 11四种状态码组成一个字节即4BH 时，就表示左旋一位音量减1。而每当P1.0和P1.1的组合电平依次为10 00 01 11四种状态码组成一个字节即87H时；就表示右旋一位音量加1。这里将“4BH”称为左旋一位的特征码，“87H”称为右旋一位的特征码。编程的任务就是要在脉冲电位器旋转过程中识别出这两种特征码，并以此为依据，对音量进行增减控制。实际编程时可以用不同的方法识别出这两种特征码。但我们在实践中经过比较，用状态（位置）采样法实现编程是较为理想的一种方法。这种方法对采样频率和操作速度没有特别要求，也可不用定时器和中断资源，只需在主程序里面就能完成，而且具有编程简单抗干扰能力强工作可靠的优点。
由于脉冲电位器在工作过程中有三种情形：一是没有被旋转而停留在某一状态（位置）；二是虽然被旋转但没有完成一个周期（4个状态）而停留在某一状态；三是不停地被旋转而超过一个周期。状态（位置）采样法就是要准确地跟踪识别和记录脉冲电位器变化的每一个状态值（包括位置值和它对应的特征码）。程序一开始就要识别出脉冲电位器所处的现态位置和其对应的特征码；随后不断跟踪扫描记录脉冲电位器的每一变化过程。显然，脉冲电位器只有旋转到第4个状态才有一个我们所需要的特征码出现，程序根据这个特征码的性质再对音量进行加减控制。
对于带开关的电位器，除了检测电位器的标称阻值及接触情况外，还应检测其开关是不是正常。先旋转电位器轴柄，检查开关是不是灵活，接通、断开时是否有清脆的“喀哒”声。用万用表R1Ω档，两表笔分别在电位器开关的两个外接焊片上，旋转电位器轴柄，使开关接通，万用表上指示的电阻值应由无穷大变为0Ω。再关断开关，万用表指针应从0Ω返回“∞”处。测量时应反复接通、断开电位器开关，观察开关每次动作的反应。电子元件回收企业表示，若开关在“开”的位置阻值不为0Ω，在“关”的位置阻值不为无穷大，则说明该电位器的开关已损坏。
用万用表电阻档的适当量程，分别测量双连电位器上两组电位器的电阻值是否相同且是否与标称阻值相符。再用导线分别将电位器A、C及电位器A、C短接，然后用万用表测量中心头B、B之间的电阻值，在理想的情况下，无论电位器的转轴转到什么位置，B、B两点之间的电阻值均应等于A、C或A、C两点之间的电阻值。电子元件回收企业表示，若万用表指标有偏转，则说明该电位器的同步性能不良。
拆下激光二极管，用万用表R×1k或R×10k档测量其正、反向电阻值。正常时，正向电阻值为20~40kΩ之间，反向电阻值为∞（无穷大）。若测得正向电阻值已超过50kΩ，则说明激光二极管的性能已下降。若测得的正向电阻值大于90kΩ，则说明该二极管已严重老化，不能再使用了。
用万用表测量激光二极管驱动电路中负载电阻两头的电压降，再根据欧姆定律估算出流过该管的电流值，当电流大于100mA时，若调节激光功率电位器，而电流无明显的变化，则可判断激光二极管严重老化。若电流剧增而失控，则说明激光二极管的光学谐振腔已损坏。
普通二极管是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。
1.极性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，对调两表笔，再测出一个结果。两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。
2.单负导电性能的检测及好坏的判断通常，锗材料二极管的正向电阻值为1kQ左右，反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5 kN左右，反向电阻值为∞ （无穷大）。正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。
若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。
3.反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压（耐压值）可以用晶体管直流参数测试表测量。其方法是：测量二极管时，应将测试表的“ NPN/PNP”选择键设置为NPN状态，再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内，负极插入测试表的“e”插孔，然后按下”V （BR） “键，测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二_极管的负极与兆欧表的正极相接，将二极管的正极与兆欧表的负极相连，同时用万用表（置于合适的直流电压档）监测二极管两端的电压。摇动兆欧表手柄（应由慢逐渐加快），待二极管两端电压稳定而不再上升时，此电压值即是二极管的反向击穿电压。
1.正、负电极的判别从外形上看，金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形，负极一端为半圆面形。塑封稳压二极管管体上印有彩色标记的一端为负极，另一端为正极。对标志不清楚的稳压二极管，也可以用万用表判别其极性，测量的方法与普通二极管相同，即用万用表R ×1k档，将两表笔分别接稳压极管的两个电极，测出一个结果后，再对调两表笔做测量。在两次测量结果中，阻值较小那一次，黑表笔接的是稳压二极管的正极，红表笔接的是稳压二极管的负极。若测得稳压二极管的正、反向电阻均很小或均为无穷大，则说明该二极管已击穿或开路损坏。
2.稳压值的测量用0~30V连续可调直流电源，对于13V以下的稳压二极管，可将稳压电源的输出电压调至15V，将电源正极串接1只1.5k限流电阻后与被测稳压二极管的负极相连接，
电源负极与稳压二极管的正极相接，再用万用表测量稳压二极管两端的电压值，所测的读数即为稳压二极管的稳压值。若稳压二_极管的稳压值高于15V，则应将稳压电源调至20V以上。也可用低于1000V的兆欧表为稳压二极管提供测试电源。其方法是：将兆欧表正端与稳压二极管的负极相接，兆欧表的负端与稳压二极管的正极相接后，按规定匀速摇动兆欧表手柄，同时用万用表监测稳压二极管两端电压值（万用表的电压档应视稳定电压值的大小而定），待万用表的指示电压指示稳定时，此电压值便是稳压二极管的稳定电压值。若测量稳压二极管的稳定电压值忽高忽低，则说明该二极管的性能不稳定。
1.正、反向电阻值的测量用万用表R×1 k或R×10k档， 测量双向触发二极管正、反向电阻值。正常时其正、反向电阻值均应为无穷大。若测得正、反向电阻值均很小或为0，则说明该二极管已击穿损坏。
第一-种方法是：将兆欧表的正极（E） 和负极（L） 分别接双向触发二极管的两端，用兆欧表提供击穿电压，同时用万用表的直流电压档测量出电压值，将双向触发二极管的两极对调后再测量一次。比较一下两次测量的电压值的偏差（一般为3~6V）。此偏差值越小，说明此二极管的性能越好。
第二种方法是：先用万用表测出市电电压U，然后将被测双向触发二极管串入万用表的交流电压测量回路后，接入市电电压，读出电压值U1，再将双向触发二_极管的两极对调连接后并读出电压值U2。
若U1与U2的电压值相同，但与U的电压值不同，则说明该双向触发二极管的导通性能对称性良好。若U1与U2的电压值相差较大时，则说明该双向触发二极管的导通性不对称。若U1、U2电压值均与市电U相同时，则说明该双向触发二极管内部已短路损坏。若U1、U2的电压值均为0V，则说明该双向触发- -极管内部已开路损坏。
第三种方法是：用0~50V连续可调直流电源，将电源的正极串接1只20kQ电阻器后与双向触发二极管的一端相接，将电源的负极串接万用表电流档（将其置于1mA档）后与双向触发二极管的另一端相接。逐渐增加电源电压，当电流表指针有较明显摆动时（几十微安以上），则说明此双向触发二极管已导通，此时电源的电压值即是双向触发二极管的转折电压。
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构及形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N是负极的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正极的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e （Emitter）、基极b (Base)和集电极c (Collector)。如图1所示
当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Eb。
在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严控杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流绝大多数都是电子流，这股电子流称为发射极电子流。
由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Icn，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibn.根据电流连续性原理得：
这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：
式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。
式中：α1也称为直流放大倍数，一般在共基极组态放大电路中使用，描述了射极电流与集电极电流的关系。
表达式中的α为交流共基极电流放大倍数。同理α与α1在小信号输入时相差也不大。
三极管的电流放大作用其实就是利用基极电流的微小变化去控制集电极电流的较大变化。 [3]
三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常通过电阻将三极管的电流放大作用转变为电压放大作用。
电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此能认为发射结主要是电子流。
电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。
(a)?测量极间电阻。将万用表置于R×100或R×1K挡，按照红、黑表笔的六种不同接法来测试。其中，发射结和集电结的正向电阻值比较低，其他四种接法测得的电阻值都很高，约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻，硅材料三极管的极间电阻要痹秽材料三极管的极间电阻大得多。
(b)?三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流ICBO的乘积。ICBO随着环境和温度的升高而增长很快，ICBO的增加必然造成ICEO的增大。而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性，所以在使用中应尽量选用ICEO小的管子。
通过用万用表电阻直接测量三极管e－c极之间的电阻方法，可间接估计ICEO的大小，具体方法如下：
万用表电阻的量程一般都会采用R×100或R×1K挡，对于PNP管，黑表管接e极，红表笔接c极，对于NPN型三极管，黑表笔接c极，红表笔接e极。要求测得的电阻越大越好。e－c间的阻值越大，说明管子的ICEO越小；反之，所测阻值越小，说明被测管的ICEO越大。一般说来，中、小功率硅管、锗材料低频管，其阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千欧以上，如果阻值很小或测试时万用表指针来回晃动，则表明ICEO很大，管子的性能不稳定。
(c)?测量放大能力(β)。目前有些型号的万用表具有测量三极管hFE的刻度线及其测试插座，可以很方便地测量三极管的放大倍数。先将万用表功能开关拨至?挡，量程开关拨到ADJ位置，把红、黑表笔短接，调整调零旋钮，使万用表指针指示为零，然后将量程开关拨到hFE位置，并使两短接的表笔分开，把被测三极管插入测试插座，即可从hFE刻度线上读出管子的放大倍数。
针对烟草流水线上装箱时出现的烟箱缺条现象，提出了采用微电容检测芯片AD7746构成的电容传感器对烟箱进行二维检测。该系统分上位机和下位机两部分，上位机和下位机之间采用RS485通讯。上位机采用LabVIEW编写的烟箱管理软件；下位机系统采用主从单片机结构，主机采用一片P89C51RD2单片机，从机则由十片P89C669单片机构成。测量根据结果得出，系统检测效果可靠，具有非常好的应用前景。 卷烟生产中，在烟条装箱打包时，装箱打包机在烟条生产流量很大或来料不足时工作不正常，常出现烟箱中缺条现象。为了能有效地识别出缺条箱烟，许多卷烟厂在生产线上设有缺条检测装置，目前烟箱缺条检测的新方法包括射线检测法、称重法、电容检测法等。这一些方法能检测出缺条箱
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对于苹果来说，iPhone X发布前三年时间里，一直都在为Face ID布局，虽说正式商用后依然有不少小问题，但不妨碍这项技术的成功。 为了更好的提高人脸识别的安全性，苹果领先全行业卖出了一大步(移动终端领域)，其采用了硬件+软件的方式来打造Face ID，从而对人脸进行3D识别，虽然说起来很简单，但是其他手机生产厂商想要追赶，还是相当困难。 之前产业链曾表示，iPhone X的人脸识别技术至少领先竞争对手1年以上，事实上也确实如此。对于三星发布的新旗舰Galaxy S9，其也加入了人脸识别功能，不过相比苹果还是要逊色不少。 据CNET报道称，虽然三星一直在强调，Galaxy S9的人脸、虹膜识别功能，在新的硬件帮助下可以
引 言 在孤立词语音识别中，最为简单有效的方法是采用动态时间规整(Dynamic Time Warping，DTW)算法，该算法解决了发音长短不一的模板匹配问题，是语音识别中出现最早、较为经典的一种算法。用于孤立词识别，该算法较现在比较流行的HMM算法在相同的环境条件下，识别效果相差不大，但HMM算法要复杂的多，这大多数表现在HMM算法在训练阶段需要出示大量的语音数据，通过反复计算才能得到模型参数，而DTW算法的训练中几乎不需要额外的计算。所以在孤立词语音识别中，DTW算法仍得到普遍的应用。本系统就采用了该算法。 系统概述 语音识别系统的典型实现方案如图1所示。输入的模拟语音信号首先要进行预
公司在原有的智能卡优势的基础上，针对目前汽车消费市场的热点，推出了一套可大规模推广应用 的系统产品——“驾驶员培训IC卡指纹识别系统”。 系统概述 通过指纹IC卡系统建立驾校和考员信息库，考员经过指纹IC卡识别身份，才能进行学车、桩考、路考等，同时可扩展为电子驾照功能。 系统特点 1.使用先进的指纹识别核心技术，功能先进而强大，可实现严格教学管理、杜绝考生作弊行为； 2.建立指纹库和考生信息库，为每个学员建立学习档案，提供在交通肇事案件中确认身份的依据，为打击犯罪发挥作用； 3.全市驾校联网管理，综合数据库， 实行统一记录学时。使每个学员可在一处报名
实验设备： 干耦合探头、超声波脉冲发生接收仪、前置放大器、数字存储示波卡、探头工装、功率放大器、信号发生器、示波器、电脑 实验内容: 未解决超声检验测试过程中不能在固体火箭发动机壳体粘接结构表面涂抹耦合剂的问题，首先构建了一套干耦合超声检测系统，设计了具有特殊结构及形式压电振子和传声杆的干耦合探头。然后提出基于时间反转的干耦合超声成像方法，分析干耦合超声时间反转聚焦原理，通过对损伤散射信号的提取、时间反转及二次加载，建立聚焦时刻的瞬态波动图，最后通过对结构微元信号幅值求和乘积两种方式对缺陷进行成像。 实验过程： 1.干耦合超声的时间反转方法 干耦合超声时间反转聚焦的过程如图所示，首先，干耦合发射探头中压电振子受逆压电效应影响
由于室内空气污染物来源广泛、种类非常之多，各种污染物对人体的危害程度不同，并且在现代的建筑规划设计中越来越考虑能源的有效利用，使室内与外界的通风换气非常少，在这种情况下室内和室外就变成两个相对不同的环境。很多室内空气污染物在短期内就可对人体产生极大的危害，而有的则潜伏期很长。通常情况下时间都在3-15年。比如放射性污染，潜伏期达几十年之久。 氡，为无色、无嗅、无味的惰性气体，具有放射性，能溶于水和脂肪，潜伏期长达15-40年。 氡的化学性质不活泼，不易形成化合物。氡没有已知的生物作用。因为氡是放射性气体，当人吸入体内后，氡发生衰变的阿尔法粒子可在人的呼吸系统造成辐射损伤，引发肺癌。而建筑材料是室内氡的最大多数来自。如花岗岩、砖砂、水泥及
物联网是指通过种种信息传感设备，如传感器、射频识别(RFID)技术、全球定位系统、红外感应器、激光扫描器、气体感应器等各种装置与技术，实时采集任何的需要监控、连接、互动的物体或过程，采集其声、光、电、生物、位置等各种需要的信息，与互联网结合形成的一个巨大网络。其目的是实现物与物、物与人，所有的物品与网络的连接，方便识别、管理和控制。本项目针对车载物联网中的数据采集、传输与应用的核心问题，展开研究，设计基于短距离无线射频通信技术的新一代车载射频识别系统。系统由短距离无线通讯车载单元(On-Board Unit，OBU)和基站系统(Base Station System，BSS)组成一个点对多点无线识别系统(Wireless ident
系统 /
RFID 系统技术与应用 (慈新新，王苏滨，王硕编著)
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具有 4.6A 输入电流限制和 12V、48W 备份模式的 LTC3350EUHF 11V 至 20V、5.3A LiFePO4 电池充电器的典型应用电路
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